Главная
  • 28 января 2012
  • 0
  • 259
  • Автор:

Полное название новинки – «Высокоскоростная энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом» (ReRAM). Память выполнена по 50-нанометровому техпроцессу, а плотность ячеек здесь составляет 64 Мбит на массив. В разработке, помимо Elpida, приняли участие Sharp, Университет Токио и Японский национальный научно-технологический институт.

Резистивную память многие считают новым витком развития вычислительной техники. Суть технологии состоит в использовании особого материала, который изменяет свое электрическое сопротивление под воздействием изменения напряжения. В отличие от DRAM, где каждая ячейка представляет собой конденсатор и требует частой перезарядки, здесь информация способна храниться вне зависимости от источника энергии. Скорость записи представленного прототипа ReRAM составляет 10 нс, что примерно равно скорости записи DRAM.

Компания не только продолжит исследования в этом направлении, но и планирует наладить серийный выпуск к 2013 году, но уже по 30-нанометровому техпроцессу.

comments powered by HyperComments

Поделитесь страницей в социальных сетях, что бы рассказать вашим друзьям:
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Похожие статьи
Коментарии